大力發展寬禁帶半導體為綠色能源做貢獻
嚴格的質量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協議···
氮化鎵作為新型半導體材料，對電子廠家的產品升級和市場競爭力提···
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，憑借其獨特···
SiC MOSFET介紹及應用在半導體技術迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質和廣泛的···
一、新聞導讀近日，國務院印發《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》（以下簡稱《行動方案》），統籌擴大內需和深化供給側結構性改革，結合各類設備和消費品更新換代差異化需求，圍繞實施設備更新、消費品···
2024-06-27
氮化鎵作為新型半導體材料，對電子廠家的產品升級和市場競爭力提升極具價值。 對廠家的核心好處 降低長期成···
2025-11-20
一個充電器的本質工作是將墻上插座的高壓交流電（AC）轉換為設備所需的低壓直流電（DC）。氮化鎵（GaN）技···
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，憑借其獨特的物理特性，正在電力電子和射頻等領域展現···
氮化鎵在高頻性能方面的不可替代優勢 1、5G 通信基站 在5G通信領域，氮化鎵已成為基站功率放大器的首選材料···
2025-10-23
隨著生成式AI和大語言模型的爆發式增長，全球算力需求呈指數級攀升。這股浪潮的直接后果是數據中心能源消耗···
隨著全球對能效、功率密度和系統小型化要求的不斷提升，傳統硅基功率器件的性能已逼近其物理極限。作為第三···
SiC MOSFET介紹及應用在半導體技術迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）為核心材料的功率器件正引領著電力電子領域···
2025-09-17
碳化硅在半導體領域的優勢碳化硅之所以能在半導體領域異軍突起，核心在于其能夠克服傳統硅基器件在高功率、···
迎接第三代半導體的產業變革在電源設計領域，小型化、高效化、高可靠性已成為不可逆的趨勢。傳統硅基器件的···
2025-08-20
