大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測(cè)流程
用芯片點(diǎn)亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
氮化鎵作為新型半導(dǎo)體材料，對(duì)電子廠家的產(chǎn)品升級(jí)和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提···
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其獨(dú)特···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
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氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的···
IGBT在壓縮機(jī)中的應(yīng)用主要體現(xiàn)在電動(dòng)壓縮機(jī)的控制方法和裝置中。
包括獲取電動(dòng)壓縮機(jī)PCB板上設(shè)置的多個(gè)IGBT模塊中各模塊的溫度值，包括第一模塊溫度值、第二模塊溫度值和第三模塊溫度值。
