大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測流程
用芯片點(diǎn)亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
1. 市場應(yīng)用現(xiàn)狀 近年來，電動(dòng)自行車充電器領(lǐng)域?qū)Ω咝省⑿⌒突ぁぁ?/p>
光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變···
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氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的···
氮化鎵作為高轉(zhuǎn)換效率寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，基于氮化鎵功率器件開發(fā)的快充方案，使用高度集成的氮化鎵功率芯片，可以獲得精簡的外圍電路，僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關(guān)管即可組成一個(gè)方案，有效減少PCB板占板面積和降低主板溫度，有效提升功率密度，使得液晶TV獲得更輕薄的設(shè)計(jì)和更低的研發(fā)成本
