| 型號 | 最大漏極電壓 | 最大漏極電流 | 導通內阻 | 封裝 | 柵極總電荷 | 反向恢復電荷 | PDF下載 |
| HG65C1R200N | 650V | 12A | 200m? | DFN8*8 | 9.5nC | 110nC |  |
HG65C1R200N采用DFN8*8封裝、650V、200mΩ氮化鎵FET。它是一款常關器件，將最新的高壓氮化鎵 HEMT與低壓硅 MOSFET相結合，提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F經JEDEC認證，先進的動態RDSon測試，具有寬柵極安全裕度、低反向恢復的特性。符合RoHS、REACH、無鹵標準。提高硬開關和軟開關電路的效率（增加功率密度、減小系統尺寸和重量、整體系統成本較低）,也兼容傳統Si驅動器。
D-Mode氮化鎵二維電子氣濃度高，方阻低，共源共柵閾值電壓為3V， VGS耐壓在±20V，之間，動態電阻小于1.1，驅動更簡單
