氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度。可以帶來低損耗和高開關頻率：低損耗可以減少導通電阻引起的熱量，高開關頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高頻率，降低驅動損耗。
Keep Tops氮化鎵（GaN）提供更小、更輕、更高效的臺式AC-DC電源。氮化鎵是一種寬禁帶半導體材料。電源中使用時，GaN提供了比傳統(tǒng)硅更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅的損耗有兩種，導通損耗和開關損耗。功率晶體管是開關電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損失，GaN晶體管（取代舊的硅技術）的發(fā)展已經引起了工業(yè)界的注意。
氮化鎵未來會取代硅芯片嗎？
與硅芯片相比
1、氮化鎵芯片的功耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸是硅片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、而且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然GaN似乎是一個更好的選擇，但在一段時間內它不會在所有應用中取代硅。
原因如下：
1、第一個要克服的障礙是GaN晶體管的耗盡特性。有源電源和邏輯電路需要常導通和常關斷類型的晶體管。雖然可以制造出常關型GaN晶體管，但它們要么依賴于典型的硅材料，要么需要特殊的附加層，這使得它們很難縮小。無法生產出與目前硅晶體管同等規(guī)模的GaN晶體管也意味著它們在微控制器和其他微控制器中的應用是不實際的。
2、GaN晶體管的第二個問題是，唯一已知的制作增強型GaN晶體管的方法，是使用一個額外的AlGaN層使用專利方法。這意味著任何涉及這種晶體管類型的創(chuàng)新都將依賴于Paonic，直到其他方法被研究為止。
GaN器件的研究早在本世紀初就已經開始，但GaN晶體管仍處于起步階段。毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但它們在數(shù)據(jù)處理應用中的應用還很遙遠。
Keep Tops的氮化鎵有什么好處
Keep Tops氮化鎵的降低了產品成本。采用GaN的充電器具有元器件數(shù)量少、易于調試、可高頻工作以實現(xiàn)高轉換效率等優(yōu)點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效率的氮化物鎵快充設計。GaN具有多種內置功能，可大大降低產品的設計復雜度和減少冗余器件的使用，在提高空間利用率和降低生產難度的同時，還有助于降低成本和加快出貨速度。
